2N5551 NPN 160V. 600Ma. (BUENA CALIDAD) FUXINSEMI

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Descripción

Especificaciones técnicas principales: 

Polaridad del transistor: NPN
Voltaje Colector-Emisor (VCEO): 160 V máximo.
Voltaje Colector-Base (VCBO): 180 V máximo.
Voltaje Emisor-Base (VEBO): 6 V máximo.
Corriente continua de colector (IC): 600 mA máximo.
Disipación de potencia máxima (PD): 625 mW.
Ganancia de corriente CC (hFE): 80 a 250.
Frecuencia de transición (fT): 100 MHz a 300 MHz.
Encapsulado común: TO-92.

Click aqui para ver el datasheet2N5551